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QLC 和 TLC
TLC全称是苹果Level Cell,进一步提高了存储密度,或最每个存储单元可以存储3bit的早于e中信息 。

TLC NAND 的使用D闪成本甚至比 MLC NAND 更低,这使其成为消费电子产品和主流 SSD 的存存储上暗区突围无限手机版下载理想选择。
QLC的苹果暗区突围物资透视·com全称是Quad-level cells ,每个cell可以存储4bit的或最数据,相比TLC ,早于e中QLC的使用D闪存储密度提升了33% 。
QLC NAND 通常用于入门级消费级 SSD 和大容量存储应用 。存存储上QLC NAND 的苹果耐久性最低,通常 P/E 周期 (擦除周期) 在 100 到 1000 之间。或最
制造商实施先进的早于e中暗区突围透视自瞄纠错机制、OP( Over)和Wear来保持可靠性 。使用D闪
虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载 ,存存储上但它为日常使用提供了充足的存储容量 ,使更广泛的暗区突围ios挂用户可以使用 SSD。
据报道,苹果正在推广 QLC NAND
最早泄露的信息称 ,苹果计划在14系列上采用QLC NAND ,IT之家今年1月份就报道称,暗区突围直装科技购买苹果可能会在16 Pro系列上采用QLC NAND 。
估计,苹果正在加速向QLC NAND的过渡 ,从而将内置存储的暗区直装科技上限提高到2TB。
不过需要注意的是 ,虽然QLC的密度比TLC高,但速度却比后者慢;而且由于单个单元中单元数量更多 ,因此它们的和平精英ios免费开科技耐久性较低,这意味着它们能处理的写入周期比TLC少。
认识大语言模型
苹果还在探索如何使用 NAND 闪存而不是 RAM 来存储大型语言模型 (LLM),从而能够在本地运行更多的 AI 任务 ,因此过渡到 QLC NAND 可以帮助提高苹果的ios越狱游戏辅助插件性能。
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